基於鉭界面層的新型銅/鉭/二硫化鉬/鎢交叉點電阻切換記憶體運用在人工智慧的神經型態分析研究(I)

Maikap, Siddheswar (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

Project IDs

系統編號:PB10807-10705
原計畫編號:MOST108-2221-E182-026

狀態	已完成
有效的開始/結束日期	01/08/19 → 31/07/20

Keywords

電子電機工程
神經形態突觸
二硫化鉬
鉭界面層
CBRAM
人工智慧

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=13139319