新型電極結構與合金技術配合電漿處理於金屬氧化物電阻式記憶體特性之研究(II)

最近非揮發性記憶體產業正極力發展能取代傳統硬碟儲存的技術，許多新的記憶體結構例如電阻式記憶體因而被進一步研究開發。電阻式記憶體的元件結構相當簡單，所用的材料也很普遍，可以和積體電路製程相容，其特性的好壞主要是取決於材料本身，目前最熱門的材料為金屬氧化物(metal-oxide)，如氧化鎳(NiO)等，在文獻中都顯示出不錯的記憶及循環操作特性。在本計畫中，我們將製作一種新型半球型電極結構之HfO2 及Gd2O3 金屬氧化物電阻式記憶體，配合合金電極及氫電漿處理技術來改善它的記憶特性，利用電性、物性分析及模擬來瞭解其物理機制，並找出最佳的結構及製程條件。已執行的第一年計畫主要是將含鋁及含鈦合金上電極的製程條件作最佳化的研究，已有初步成果，接下來兩年的計畫內容如下：1. 使用不同的氫電漿處理技術如高密度氫電漿、遠端氫電漿以及氫電漿浸沒離子注入於金屬氧化物電阻層，比較其電阻式記憶體特性，並找出一個最佳的氫電漿處理方式。2. 利用低壓化學氣相沈積系統，來形成半球型複晶矽下電極，探討此結構對於電阻式記憶體特性的影響，並找出一個最佳的結構。3. 最後，整合上述技術，製作出新型半球型電極結構與合金技術配合氫電漿處理於金屬氧化物，以獲得一個最佳的記憶特性。

系統編號:PB10007-2293
原計畫編號:NSC100-2221-E182-012