非真空法製備I-III-VI族粉體與光電池製備

太陽能源之應用為近年來極為重要之研究發展領域，主要應用為各類光電池與熱能，利用太陽光能產生低成本之電力，將為未來能源供應之目標。I-III-VI 族光電池之技術發展以開發薄膜銅銦鎵化合物(CIGS)光電池與多層薄膜結構元件進行為主要發展方向。目前以真空方法所製備之化合物CIGS 光電池具有最高效率，轉化率可達20%，但大面積製備與價格成本仍表現不佳。材料化學組成結構、光學性質、與低成本之製造技術方面，仍有許多問題待克服，因此，我們提出此一研究計畫，目的在於發展低成本之非真空法製備銅銦硫化物、銅銦鎵硫化物與硫化銦等光敏性薄膜。研究主題分別為銅銦硫化物、銅銦鎵硫化物與硫化銦粉體製備、塗佈液配方之開發與光電池元件之製備。我們將使用化學合成方法製備不同結構組成之銅銦硫化物、銅銦鎵硫化物與硫化銦粉體，藉由組成配方研究材料晶型、表面結構等性質對於光電池效能的影響。光電池組裝與量測方面，包括薄膜塗佈與製備、元件製造與光電轉化效率分析。以既有之基礎，開發低成本之銅銦硫化物、銅銦鎵硫化物光電池技術，作為未來低成本薄膜式光電池技術之重要基礎。

系統編號:PB10101-3605
原計畫編號:NSC100-2628-E182-005-MY3