雷射退火活化摻雜之製程模擬(II)

由於鰭式場效電晶體、奈米線結構及三維記憶體元件等非平面元件之發展，源極汲極之串聯電阻已嚴重影響到積體電路之效能。為了解決非平面元件串聯電阻的問題，本計畫將開發雷射退火活化摻雜之製程模擬。上一年度活化實驗使用絕緣層覆矽晶圓並進行雷射退火，大幅提高摻雜活化濃度。本年度將利用雷射退火高摻雜活化試片發展磷摻雜活化模型。由於摻雜活化主要受限於摻雜之間的反應，活化模型著重於形容摻雜之間的反應。因而先針對雷射活化試片進行低溫退火，引發摻雜之間的反應，造成去活化，再以霍爾量測分析去活化之速率，以了解摻雜之間的反應。同時利用蒙地卡羅法，計算不同摻雜濃度鄰近摻雜的距離分佈，以發展鄰近原子之反應模型。除了以蒙地卡羅法分析鄰近原子反應之外，我們將利用帕松分佈發展鄰近原子統計模型，以延伸蒙地卡羅法分析結果至低摻雜濃度條件。藉由鄰近原子模型，我們可以分析磷去活化實驗數據，探討磷摻雜反應機制，開發摻雜反應方程式。隨後進行雷射退火熱傳模擬，得到不同位置之溫度分佈。所計算的溫度帶入摻雜反應方程式之反應係數，即能計算出雷射退火之摻雜活化濃度，完成雷射活化摻雜模擬。

系統編號:PB10408-5756
原計畫編號:MOST104-2221-E182-039