以無熱障緩衝層設計實現第五代行動通訊基地台之高功率密度氮化鎵微波電晶體

Chiu, Hsien-Chin (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

對於學術研究、國家發展及其他應用方面預期之貢獻方面，本計畫首先提出無熱脹緩衝層高阻碳化矽基板及其磊晶技術，解決氮化鎵採用矽基在基板晶格失配問題且熱膨脹係數不匹配問題，並且也改善傳統碳化矽基板潛在buffer缺陷以及散熱問題，解決第五代通訊器件所須抗高溫、高生命期、高可靠度的微波毫米波電晶體，並且配合製程以及磊晶技術來再一次提升氮化鎵高頻效能，開發第五代通所需氮化鎵器件，同時拓展台灣學術與經濟方面之廣度。

Project IDs

系統編號:PB11207-2661
原計畫編號:NSTC112-2221-E182-068

狀態	已完成
有效的開始/結束日期	01/08/23 → 31/07/24

Keywords

電子電機工程
氮化鎵
高電子遷移率電晶體
碳化矽基板
無熱脹緩衝層
毫米波
第五代行動通訊
再生長磊晶

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=15456536

以無熱障緩衝層設計實現第五代行動通訊基地台之高功率密度氮化鎵微波電晶體

研究計畫-專案詳細資料

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