矽量子點記憶元件研究

本計畫目標為研究量子點記憶元件，其中最重要的製程是在氧化上生長高密度小體積的量子點，例如:在二氧化矽上或是在三氧或二鋁上生長矽量子點或矽鍺量子點，目前有許多方法生長矽或矽鍺量子點，如self-assembly in chemical vapordeposition，ion implantation 及sputtering。本計畫構想預定在二氧化矽、三氧化二鋁及二氧化鉿等tunnel oxide 上以co-sputtering 方式生長HfSiO +Ge 及HfAlO+ Ge 並以RTP 方式形成Ge nanocrystal 或以CVD 方式直接生長矽或矽鍺等量子點，初期先探討量子點的沉積條件、成分及回火(annealing)溫度為主，並以原子立顯微鏡(AFM)，高解析穿透式顯微鏡(HRTEM)分析量子點大小及密度，最後如有機會則直接做成MOSFET memory device 測量相關電性分析。總結上述本計畫預計以建立(1)量子點生長製程能力及(2)分析技術，找出最佳化的生長條件，並試製作成(3)量子點記憶元件。最後在研究量子點的過程中我們也將對其光電特性做一探討。

系統編號:PB9402-0192
原計畫編號:NSC94-NU-7182-001