以類碳鑽為基底的光伏元件之研究

類鑽碳、光伏元件、光電特性近年來，由於類鑽碳薄膜作為矽太陽電池抗反射層，以及奈米碳管應用在太陽光伏領域的逢勃發展。以碳材料為主的新趨勢，使太陽光伏領域，未來充滿著潛力。本計劃的目標是發展以類鑽碳材料，作為太陽光伏元件的研究。研究計劃內容是以(1) 真空鍍膜（乾式）和電沈積（濕式）方法，製備無摻雜和摻雜DLC薄膜。(2) 在矽、ITO 性和金屬基板，成長類鑽碳薄膜。DLC薄膜製備條件和薄膜性質關係(3)各種光伏元件製備及光電特性分析，(4)薄膜厚度、熱穩定性、均勻性、表面粗糙度對元件特性的影響。研究範圍主要包括：第一年(1) 探討類鑽碳成長在 n-矽、p-矽、ITO 和金屬基板的性質。(2) 建立DLC薄膜製備參數和薄膜特性的關係。(3) 製備太陽光伏元件；結構，如： Schottky types。(4)探討薄膜的製備參數、薄膜特性和元件的特性的相互關係。第二年(1) 製備類鑽碳異質接面太陽光伏元件，如：MIS， p-i-n type 結構。(2) 建立製備參數和元件特性的關係，如：開路電壓和短路電流。(3) 探討元件的特性，如：載子傳輸現象、光響應特性和量子效率。第三年(1) 製備類鑽碳異質接面太陽光伏元件。如：全光譜結構 & 超晶格結構。(2) 建立薄膜製備參數和元件特性的關係，如：開路電壓和短路電流。(3) 探討元件的特性，如：載子傳輸現象、光響應特性和量子效率

系統編號:PB10101-4632
原計畫編號:NSC100-2221-E182-070-MY2