研究計畫-專案詳細資料
摘要
本計畫利用二維材料石墨烯，結合電阻式記憶體的概念，研發具有電阻轉換特性之石墨烯記憶體，利用高低電阻操作產生電容變化，造成狄拉克點電壓漂移，來達成記憶體的應用。將使用不同極性的電阻轉換操作配合 n/p型石墨烯來完成此記憶體，再利用多位元操作來達成高密度記憶體的需求，最後製作一個 1T石墨烯電阻轉換記憶體之 3x3記憶體陣列原型。本計畫可分成以下三個部分來實行：
1. 石墨烯下電極之單雙極性電阻轉換石墨烯記憶體開發。單極性部份，配合不同極性操作，使用不同摻雜來製作石墨烯記憶體，調整電阻層的電荷，使電阻轉換及電壓讀取的操作極性不同；而在雙極性部份，利用改變電阻層來調整操作電壓，使電阻轉換電壓大於讀取電壓，來避免讀取干擾。
2. 石墨烯下電極之多位元電阻轉換石墨烯記憶體開發，來實現高密度記憶體的應用。以製作兩位元石墨烯記憶體為目標，並探討電阻值與狄拉克點電壓之統計分佈，同時分析其多位元記憶體特性和可靠度。
3. 1T石墨烯電阻轉換記憶體之 3x3記憶體陣列原型開發。將設計光罩來製作石墨烯記憶體陣列，調整製程以完成此記憶體陣列原型的製作，實現陣列操作電阻轉換以達到狄拉克點電壓的改變，探討其操作干擾問題，以完成此高密度記憶體陣列開發。
Project IDs
系統編號:PB10501-2701
原計畫編號:MOST103-2221-E182-061-MY3
原計畫編號:MOST103-2221-E182-061-MY3
| 狀態 | 已完成 |
|---|---|
| 有效的開始/結束日期 | 01/08/16 → 31/07/17 |
Keywords
- 電子電機工程
- 石墨烯
- 電阻式記憶體
- 多位元
- 狄拉克點
- 陣列
指紋
探索此研究計畫-專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。