前瞻六吋SOI基板上氮化鋁銦/氮化鎵異質接面場效應電晶體及其高效率微波功率放大器模組研製

台灣已經正式啟用第四代行動通訊(4G LTE)行動上網服務，目前4G LTE全球主要使用的頻段 主要為700〜860 MHz (FDD)，1.5〜2.1GHz (FDD)以及2.3〜2.6 GHz(TDD)，然而對於其4G頻段基地 台涵蓋範圍(輸出功率30-50Watt)、頻寬以及用戶量(線性度)不足之原因就因為台灣電信業者完全以國 外基地台採購為主本身無相關技術，中國與韓國目前也大幅度架構4G系統導致4G基地台全球性缺 貨而使得現階段4G業者訊號涵蓋度不足，所以台灣4G基地台採購的全球性缺貨以及系統頻寬不 足這些問題就在於台灣雖然在半導體工業製作能力雖強但是對於終端產品與系統的深耕卻是缺乏 的，所以本計畫第一年提出以六吋SOI基板上實現高增益高電壓操作之氦化鋁銦/氦化鎵(InAlN/GaN) 高功率微波場效應電晶體，同時在背面的散熱材料採用和氦化鎵有相似熱膨脹係數的類鑽碳來同步 改良電晶體可靠度，第二年利用變溫低頻雜訊來判定InAlN/GaN晶格匹配異質結構場效應電晶體之 磊晶品質並計算缺陷活化能位置判定其缺陷種類，並輔助以利用四個偏壓操作區域stress來驗證 InAlN/GaN HEMT之可靠度劣化機制，同時為了電路設計開發具有描述缺半導體缺陷與熱效應之大 訊號模型。第三年在同步考慮電晶體封裝之寄生效應與熱流計算來設計實現Doherty功率放大器企圖 達到40瓦微波功率輸出，所以本計畫能夠從前瞻氦化鋁銦/氦化鎵高功率微波電晶體的研製開始，加 入了電晶體可靠度分析與量測的元素，最後實現能夠實際量產與使用的寬頻高線性度功率放大器之 系統，深耕台灣通訊基地台工業實力。

系統編號:PB10507-1731
原計畫編號:MOST105-2221-E182-062