新穎勞倫茲力作用的多值CMOS記憶體設計技術研究與晶片實現

積體電路功能日益增加，使得產品應用方面，對於感測器及相關應用之需求更加殷切。這其中重要的新興技術之一，便是磁場感測與應用。由於這方面研究深具前瞻性，而目前國內外相關研究較缺乏。有鑑於磁場感測與應用未來可能成為重要的技術，因此本計畫將延續以往建立的成果，深入研究創新的磁場感測元件及相關應用設計技術。本計畫建立在現有的技術基礎下，希驥深耕磁場感測技術獲致成果，並延伸運用到新穎CMOS多值的勞倫茲力記憶體相關技術的研究。計畫時程設定的研究目標，包括(1)透過內建電流迴路(線圈)來建立磁場進而產生勞倫茲力作用，來改變元件的遷移率及電流，藉以呈現不同的狀態值 (2)使用高敏感度磁場感測元件及線圈作為新穎全新的記憶體細胞 (3)使用標準CMOS製程的多值記憶體應用 (4)通用的記憶體元件模型。本計畫在勞倫茲力記憶元件及電路設計上有多處創新突破，並使用多項設計技術以改進效能，而且設定的研究目標與現有技術指標相比較，相當具有前瞻性與挑戰性。所以本計畫的主要目的將在於研究低功率、低雜訊、低磁場、多值勞倫茲力作用記憶體的創新電路設計技術。本研究計畫執行的成果，對於國內學術研究、微電子產業發展及感測元件與電路整合相關設計人才培育均會有莫大的助益。

系統編號:PB10811-0136
原計畫編號:MOST108-2221-E182-063