研究計畫-專案詳細資料
摘要
1970年P. Bergveld 揭示了ISFET(Ion-Sensitive Field Effect Transistor)離子感測場效應電晶體的基本構造，在歷經十幾年後L. Bouss與C. D. Fung 等學者又發展出了EIS(Electrolyte-Insulator Semiconductor)電解-絕緣半導體，直到1988年D. G. Hafeman更近一步發明了LAPS(Light addressable Potentiometric Sensor)光定址電位感測器，在過去的四十年間，這些學者們一直努力不懈的為半導體感測器的進步提供許多寶貴的學術成果。在LAPS的發展中，首先是使用單一光源，2010年7月，日本與德國學者揭示了使用雷射掃描的方式來進行偵測，其中單一光源所能獲得的資料較少，以雷射陣列掃描的方式來進行偵測則可以獲得更多的資料結果，也可得到較高的畫素值(pixels)，但卻也需要耗費較多的時間進行量測，本計畫預計使用化合物為基材，背面做成LED陣列，正面做成ISFET，將其積體化與陣列化，再加上日本東北大學所揭示之調變解調技術進行量測，可同時讀取整個畫面，應是相當創新的一種構想；藉由過去相關許多論文的發表，讓我們知道光源的波長越長會提高感測器的敏感度，於是我們將利用化合物半導體砷化鎵GaAs製成的紅光LED來提升半導體感測器在微小化與快速化的表現，藉由調制光源來提升量測速度，最終希望能將GaAs製成不需要另一背光模組的積體化LAPS感測器，為我國在感測器上的發表貢獻一份心力。
Project IDs
系統編號:PB10007-2272
原計畫編號:NSC100-2221-E182-038
原計畫編號:NSC100-2221-E182-038
| 狀態 | 已完成 |
|---|---|
| 有效的開始/結束日期 | 01/08/11 → 31/07/12 |
Keywords
- 光電工程
- 離子感測場效應電晶體
- 光定址電位感測器
- 砷化鎵
- 陣列化
指紋
探索此研究計畫-專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。