研究計畫-專案詳細資料
摘要
此計劃目的為製作出具有高載子遷移率,開關特性及常關特性和免轉印特性的N型石墨烯電晶體。 1計劃第一年主要開發氮化石墨烯技術及免轉印技術 a利用氨氣電漿對石墨烯進行摻雜 b利用氨氣電漿處理銅箔處理,進行免轉印石墨烯之合成 c利用一氧化二氮電漿對銅箔處理,進行免轉印石墨烯之合成 原理：將氮處理過的銅作為氮源，在石墨烯成長過程中氮化，而減少氮化對石墨烯的損傷。 2計劃第二年主要開發氟化石墨烯和類氮化硼作為氮化石墨烯的表面 a利用氮和硼離子佈置的二氧化矽形成免轉印類氮化硼薄膜 b利用氮和硼離子佈置的二氧化矽與銅的界面處形成免轉印類氮化硼薄膜 c利用氟化石墨烯作為石墨烯與二氧化矽的阻擋層 d利用氟摻雜的銅與二氧化矽界面形成免轉印氟化石墨烯 e製作免轉印孵化石墨烯在類氮化硼薄膜之結構 原理：利用銅的六角形表面作為催化劑，形成氮化硼結構；利用氟化石墨烯和類氮化硼薄膜屏蔽二氧化矽的懸鍵，減少載流子散射效應。 3計劃第三年開發一次形成氟化氮化石墨烯在類氮化硼薄膜 a在銅與二氧化矽界面形成氮化石墨烯與類氮化硼薄膜 b利用低損傷四氟化碳電漿處理a，形成孵化氮化石墨烯與類氮化硼薄膜 c一次形成氟化氮化石墨烯在類氮化硼薄膜 原理：免轉印就避免轉印中造成石墨烯的雜質殘留。
Project IDs
系統編號:PB10408-5724
原計畫編號:MOST104-2221-E182-041
原計畫編號:MOST104-2221-E182-041
| 狀態 | 已完成 |
|---|---|
| 有效的開始/結束日期 | 01/08/15 → 31/07/16 |
Keywords
- 電子電機工程
- 高載子遷移率
- 開關特性
- 常關特性
- 免轉印製程
- N型石墨烯
- 氮化硼
指紋
探索此研究計畫-專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。