異質二維材料之奈米結構於光電子神經記憶元件基礎研究

神經形態計算目前已廣泛研究並模仿於大腦的感知，學習和記憶等功能，因為它被寄予期望可以克服馮諾依曼計算的瓶頸。且人類的知覺刺激幾乎來自外部來源（例如:眼、聽覺、嗅覺或觸覺等），這些來源無法僅通過電的訊號來模擬。本計畫中我們提出基於神經元件陣列來實現人工視覺的功能，並透過二維材料硒氧化鉍(Bi2O2Se)、二硫化鉬(MoS2)和石墨烯形成的異質結構作為光電突觸，實現了全光控制神經元件於新型的人工視覺系統，它提供了一種全新而有效的方式於未來開發視覺人工神經形態系統上。此三年計畫的執行項目如下：第一年/生長二維結構Bi2O2Se與MoS2以及光電特性探討1. 調變Bi2O2Se與MoS2的生長參數2. 測試不同光波長照射於Bi2O2Se與MoS2之光電響應3. 探討石墨烯奈米碟以紫外光抹除記憶的效應第二年/異質感光結構與記憶光量子點結構對光神經特性分析4. 優化二維材料的生長至單層與轉移技術之開發5. 開發異質感光與記憶光量子點結構之神經元件6. 調變光脈衝於元件上實現生物神經特性第三年/光操控之陣列元件仿視覺神經系統 7. 製作神經元陣列結構8. 評估陣列結構模擬神經特性9. 實現仿視網膜於影像辨識之應用

系統編號:PB10907-4045
原計畫編號:MOST109-2221-E182-013-MY3