化合物元件之抗靜電能力提升研究-子計畫二：氮化合物半導體磊晶成長技術及其靜電防護特性之研究(I)

本計畫主要目的在於以『有機金屬化學氣相磊晶法』研究開發具有『高靜電放電防護能力』之氮化合物半導體發光二極體。利用不同於一般水平式反應器之『三分流（three flow）反應器』系統，我們可以更細膩的控制分析磊晶成長過程中反應器內的反應機制。藉由對磊晶過程中主導機制的掌握，我們將研究發展具有『高摻雜導電層』（δ-doping conduction layer）之氮化合物半導體元件磊晶成長技術與結構設計，並分析其對元件靜電放電防護能力的提升效益。我們預期藉由高品質的『高摻雜導電層』結構設計，可以有效分散靜電放電發生時瞬間電荷注入所造成的電流擁擠效應（current crowdingeffect）。然而，要形成高品質的δ-doping layer，必須考量到磊晶參數中溫度、壓力、反應物流速以及成長時序的精確控制。不當的高摻雜可能造成摻雜物佔據錯誤的晶格位置而導致更多缺陷的產生。另外，我們也將利用AlGaN/GaN 超晶格結構做為阻擋差排缺陷之阻擋層。利用不同的磊晶結構設計，包含組成成分比例、摻雜濃度以及各層厚度的變化，我們將更進一步的研究分析氮化合物半導體材料ESD 傷害的成因並提出防制之道。

系統編號:PB9408-4472
原計畫編號:NSC94-2215-E182-007