氮化及氟化在超薄閘極氧化層及複晶矽氧化層的製程開發

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) 國家科學及技術委員會學術補助

研究計畫-專案詳細資料

Project IDs

系統編號:PB8901-0265
原計畫編號:NSC89-2215-E182-002
狀態已完成
有效的開始/結束日期01/08/9931/07/00

Keywords

  • 電子電機工程
  • 超薄閘極氧化層
  • 複晶矽氧化層
  • 氮化
  • 氟化
  • 硼穿透
  • 金氧半場效電晶體

指紋

探索此研究計畫-專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。