超薄氧化層之製程開發

  • Lai, Chao-Sung (PI)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) 國家科學及技術委員會學術補助

研究計畫-專案詳細資料

Project IDs

系統編號:PB8801-0200
原計畫編號:NSC88-2215-E182-001
狀態已完成
有效的開始/結束日期01/08/9831/07/99

Keywords

  • 電子電機工程
  • 超薄閘極氧化物
  • 自然氧化層
  • 光阻灰化
  • 深次微米
  • 直接穿透電流
  • 軟性崩潰

指紋

探索此研究計畫-專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。