一種利用半導體晶體之自然劈裂面選擇性成長氮化物半導體元件的方法

本發明係為一種利用半導體晶體之自然劈裂面選擇性成長氮化物半導體元件的方法，其係可以解決在磊晶過程中的降溫過程中晶體裂開的情形，而得到低缺陷密度的晶體，提高磊晶品質，改善元件的性能與可靠度。此製造方法是沿晶體自然劈裂面選擇性區域成長氮化物半導體，因此能夠有效改善基板與晶體之間晶格常數不匹配和熱膨脹係數不同的問題，減少磊晶過程中產生過多的缺陷，同時可降低元件漏電流、操作電壓等等。