一種高反射率發光二極體晶片之製造方法

本發明係一種高反射率發光二極體晶片之製造方法，其先製作一發光二極體晶片，再將發光二極體晶片覆晶於覆晶基板上;其中發光二極體晶片係堆疊基板、N型氮化鎵半導體層、P型氮化鎵半導體層、發光層、第一電極、第二電極及一反射金屬導電層;該反射金屬導電層由透明導電層、銀及金所堆疊成，其將透明導電層及銀先置於一氧化爐中，並進行退火使透明導電層變成透明的金屬氧化物，而讓光能穿透到銀中反射，然後再於銀上鍍一層金。藉此，反射金屬導電層只有透明導電層及銀需放入氧化爐中，可避免金滲入於銀中，因此可讓銀保持有良好的反射率。