以矽基板磊晶成長氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體結構

彭建勛

研究成果: 論文類型碩士論文

貢獻的翻譯標題Epitaxial growth of AlGaN/GaN HEMT structures on Silicon Substrate by MOCVD
原文繁體中文
監督員/顧問
  • Chen, Nai-Chuan, 指導教授
出版狀態已出版 - 2014
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