| 貢獻的翻譯標題 | Improved Device Performance of AlGaN/GaN HEMTs With Ga2O3 as Dielectric by Atomic Layer Deposition |
|---|---|
| 原文 | 繁體中文 |
| 監督員/顧問 |
|
| 出版狀態 | 已出版 - 2015 |
| 對外發佈 | 是 |
使用原子層沉積系統沉積氧化鎵作為閘極材料來提升氮化鎵高速元件特性之研製
高裔軒
研究成果: 論文類型 › 碩士論文
高裔軒
研究成果: 論文類型 › 碩士論文
| 貢獻的翻譯標題 | Improved Device Performance of AlGaN/GaN HEMTs With Ga2O3 as Dielectric by Atomic Layer Deposition |
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| 原文 | 繁體中文 |
| 監督員/顧問 |
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| 出版狀態 | 已出版 - 2015 |
| 對外發佈 | 是 |