摘要
本發明提供應用於一記憶體元件中之一電荷儲存膜，且前述記憶體元件包含一基板。其中電荷儲存膜至少包含一穿隧氧化層、一電荷儲存層與一阻障氧化層。穿隧氧化層設置於基板上。電荷儲存層包含複數個石墨烯奈米點，且該些石墨烯奈米點間隔設置於穿隧氧化層上。阻障氧化層則用以覆蓋電荷儲存層。本發明同時亦揭露上述電荷儲存膜之製造方法及其應用記憶體元件的結構。
| 貢獻的翻譯標題 | A DISCRETE GRAPHENE NANODISK AS THE CHARGE STORAGE LAYER FOR MANUFACTURING METHOD AND MEMORY APPLICATION |
|---|---|
| 原文 | 繁體中文 |
| 專利號 | I499555 |
| IPC | B82Y 40/00(2011.01); B82Y 10/00(2011.01) |
| 出版狀態 | 已出版 - 11 09 2015 |
文獻附註
公開公告號: I499555Announcement ID: I499555