分離式石墨烯奈米碟電荷儲存層的製造方法與應用之記憶體元件

本發明提供應用於一記憶體元件中之一電荷儲存膜，且前述記憶體元件包含一基板。其中電荷儲存膜至少包含一穿隧氧化層、一電荷儲存層與一阻障氧化層。穿隧氧化層設置於基板上。電荷儲存層包含複數個石墨烯奈米晶體，且該些石墨烯奈米晶體間隔設置於穿隧氧化層上。阻障氧化層則用以覆蓋電荷儲存層。本發明同時亦揭露上述電荷儲存膜之製造方法及其應用記憶體元件的結構。