摘要
本發明揭示一種靜電放電與電磁脈衝之防護裝置，將寬能隙半導體材料製成一寬能隙半導體元件，且該所述寬能隙半導體元件的實施態樣為二極體。因此，寬能隙二極體是利用操作在順向導通模式作為其特殊的ESD與/或EMP防護機制，寬能隙二極體本身就不容易發生崩潰效應，且當其工作在順向導通模式之時更是不容易崩潰。故此，本發明之靜電放電與電磁脈衝之防護裝置能夠承受極大的ESD電流與/或EMP電流，是以具有極大的潛力可以取代現有的矽基半導體所製成TVS元件，進而作為未來主流的使用於ESD與/或EMP防護之電子元件與相關的應用電路。
| 貢獻的翻譯標題 | USE OF WIDE-BANDGAP SEMICONDUCTOR IN PREVENTION OF ESD AND EMP AS WELL AS ESD AND EMP PREVENTING DEVICE |
|---|---|
| 原文 | 繁體中文 |
| IPC | H02H 9/02(2006.01); H05F 3/02(2006.01) |
| 出版狀態 | 已出版 - 01 02 2021 |
文獻附註
公開公告號: 2.02105874E8Announcement ID: 2.02105874E8
指紋
深入研究「寬能隙半導體元件於靜電放電與電磁脈衝之防護方法以及靜電放電與電磁脈衝之防護裝置」主題。共同形成了獨特的指紋。引用此
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver