成長非揮發性記憶體之高品質複晶矽氧化層

研究成果: 期刊稿件文章同行評審

原文繁體中文
頁(從 - 到)18-21
期刊國科會國家毫微米元件實驗室通訊
8
發行號2
出版狀態已出版 - 2001

Keywords

  • 絕緣層
  • 複晶矽氧化層
  • 非揮發性記憶體

引用此