晶片上薄膜氧化鋅變阻器及其製作方法與應用

研究成果: 專利

摘要

一種薄膜氧化鋅變阻器及其製作方法與應用，乃利用濺鍍方式直接形成含氧化鋅薄膜於基板上，並施以後退火處理，來提高含氧化鋅薄膜之電阻値，藉此可製得具有良好變阻器特性之薄膜氧化鋅變阻器，其製程容易控制且穩定性佳，能與其他半導體元件製程充分整合來達到完善的突波防護效果。

貢獻的翻譯標題	Thin-film ZnO varistor and manufacturing method and application thereof
原文	繁體中文
IPC	H01L-021/3205(2006.01);H01L-021/321(2006.01);H01L-021/203(2006.01)
出版狀態	已出版 - 16 12 2008

公開公告號: 2.00849395E8
Announcement ID: 2.00849395E8

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author = "Liann-Be Chang and YUAN-SHUN ZHANG",

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TY - PAT

T1 - 晶片上薄膜氧化鋅變阻器及其製作方法與應用

AU - Chang, Liann-Be

AU - ZHANG, YUAN-SHUN

N1 - 公開公告號: 2.00849395E8 Announcement ID: 2.00849395E8

PY - 2008/12/16

Y1 - 2008/12/16

N2 - 一種薄膜氧化鋅變阻器及其製作方法與應用，乃利用濺鍍方式直接形成含氧化鋅薄膜於基板上，並施以後退火處理，來提高含氧化鋅薄膜之電阻値，藉此可製得具有良好變阻器特性之薄膜氧化鋅變阻器，其製程容易控制且穩定性佳，能與其他半導體元件製程充分整合來達到完善的突波防護效果。

AB - 一種薄膜氧化鋅變阻器及其製作方法與應用，乃利用濺鍍方式直接形成含氧化鋅薄膜於基板上，並施以後退火處理，來提高含氧化鋅薄膜之電阻値，藉此可製得具有良好變阻器特性之薄膜氧化鋅變阻器，其製程容易控制且穩定性佳，能與其他半導體元件製程充分整合來達到完善的突波防護效果。

M3 - 專利

ER -