氮化鎵系發光二極體結構及其製作方法

一種氮化鎵系發光二極體結構及其製作方法，係包括一基板；至少一氮化鎵系層，其係位於該基板之上方；於該氮化鎵系層之上方，依序形成一n型氮化鎵系超晶格結構與n型氮化鎵系層所組成之介面隔離結構及一氮化鎵系發光層；一p型氮化鎵系層，其係形成於該氮化鎵系發光層之上方。本發明係藉由降低溫度及調整磊晶反應腔環境，於純氮氣且低溫下，磊晶成長該介面隔離結構及該發光層，進而達到提升輻射復合之效率。