氮化鎵製程氧化低密度脂蛋白感測元件

Hsien-Chin Chiu; Shu-Er Chow; Ray-Ming Lin; Chao-Sung Lai; XIN-SHUN HUANG; ZHAO-WEI LIN; BING-SHAN HONG; YUNGHSIANG LIN

氮化鎵製程氧化低密度脂蛋白感測元件

Hsien-Chin Chiu (Inventor)
, Shu-Er Chow (Inventor)
, Ray-Ming Lin (Inventor)
, Chao-Sung Lai (Inventor)
, XIN-SHUN HUANG (Inventor)
, ZHAO-WEI LIN (Inventor)
, BING-SHAN HONG (Inventor)
, YUNGHSIANG LIN (Inventor)

研究成果: 專利

摘要

一種氮化鎵製程氧化低密度脂蛋白感測元件，係為一種氮化鎵高電子移導率場效電晶體元件，係包括:一無閘極氮化鋁鎵/氮化鎵感測電晶體元件、一測試窗口、一源極、一汲極、兩金屬連接線與一鈍化層。其中，該無閘極氮化鋁鎵/氮化鎵感測電晶體元件其磊晶晶圓結構係包括一氮化鎵層與一氮化鋁鎵層;該測試窗口係設於該磊晶晶圓結構上，該金屬連接線係設於源極及汲極上，該鈍化層係除測試窗口外，覆蓋於表面之上，藉以場效電晶體特性及氮化鋁鎵/氮化鎵之極化效應所產生壓電內建電場達到快速準確且簡易地感測人體內蛋白質氧化程度。

貢獻的翻譯標題	Oxidized low density lipoprotein sensory device employing gallium nitride process
原文	繁體中文
IPC	G01N-033/68(2006.01);G01N-033/92(2006.01)
出版狀態	已出版 - 01 08 2009

文獻附註

公開公告號: 2.0093315E8
Announcement ID: 2.0093315E8

引用此

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year = "2009",

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type = "Patent",

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TY - PAT

T1 - 氮化鎵製程氧化低密度脂蛋白感測元件

AU - Chiu, Hsien-Chin

AU - Chow, Shu-Er

AU - Lin, Ray-Ming

AU - Lai, Chao-Sung

AU - HUANG, XIN-SHUN

AU - LIN, ZHAO-WEI

AU - HONG, BING-SHAN

AU - LIN, YUNGHSIANG

N1 - 公開公告號: 2.0093315E8 Announcement ID: 2.0093315E8

PY - 2009/8/1

Y1 - 2009/8/1

N2 - 一種氮化鎵製程氧化低密度脂蛋白感測元件，係為一種氮化鎵高電子移導率場效電晶體元件，係包括:一無閘極氮化鋁鎵/氮化鎵感測電晶體元件、一測試窗口、一源極、一汲極、兩金屬連接線與一鈍化層。其中，該無閘極氮化鋁鎵/氮化鎵感測電晶體元件其磊晶晶圓結構係包括一氮化鎵層與一氮化鋁鎵層;該測試窗口係設於該磊晶晶圓結構上，該金屬連接線係設於源極及汲極上，該鈍化層係除測試窗口外，覆蓋於表面之上，藉以場效電晶體特性及氮化鋁鎵/氮化鎵之極化效應所產生壓電內建電場達到快速準確且簡易地感測人體內蛋白質氧化程度。

AB - 一種氮化鎵製程氧化低密度脂蛋白感測元件，係為一種氮化鎵高電子移導率場效電晶體元件，係包括:一無閘極氮化鋁鎵/氮化鎵感測電晶體元件、一測試窗口、一源極、一汲極、兩金屬連接線與一鈍化層。其中，該無閘極氮化鋁鎵/氮化鎵感測電晶體元件其磊晶晶圓結構係包括一氮化鎵層與一氮化鋁鎵層;該測試窗口係設於該磊晶晶圓結構上，該金屬連接線係設於源極及汲極上，該鈍化層係除測試窗口外，覆蓋於表面之上，藉以場效電晶體特性及氮化鋁鎵/氮化鎵之極化效應所產生壓電內建電場達到快速準確且簡易地感測人體內蛋白質氧化程度。

M3 - 專利

ER -

氮化鎵製程氧化低密度脂蛋白感測元件

摘要

文獻附註

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引用此