生化離子感測器

本發明係提供一種生化離子感測器，其一係利用一種離子感應場效電晶體，結合酵素與離子感測場效電晶體(Ion sensitive Field Effect Transistor， ISFET)，為基礎所製成。其係整個閘極更替為稀土元素氧化層，或其它如IrO2、TiO2、WO3等Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅳ族的相關低阻抗材料，讓生化離子感測器具有更低的漏電流，並可提升感測的效果及速度，由於稀土氧化層的特性，可使生化離子感測器具有低漏電流，且生化離子感測器之感測效果相較於習知技術更為良好。另一種生化離子感測器為延伸式離子感測場效電晶體(Extended gate ion sensitive field effect transistor，EGFET)，其係將MOSFET的閘極部分延伸出來獨立形成感測區，並和MOS電容元件本身分開，使MOS電容元件部分能重複使用，此結構將適用於可拋棄式之生醫感測器，進一步使EGFET朝向商品化發展。