摘要
本發明係一種硫化處理應變式砷化鋁銦/砷化鎵銦異質接面場效應電晶體(MHEMT)之方法,其係利用硫化處理應用在應變式砷化鋁銦/砷化鎵銦異質接面場效應電晶體(MHEMT)元件,做閘極的鈍化處理,使啟始電壓提升,表面漏電流減少,表面狀態密度也增強,使其能運用在高電流密度和高輸入功率範圍。
貢獻的翻譯標題 | Method of vulcanization treatment on metamorphic InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor (MHEMT) |
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原文 | 繁體中文 |
專利號 | I358772 |
IPC | H01L 21/335(2006.01) |
出版狀態 | 已出版 - 21 02 2012 |
文獻附註
公開公告號: I358772Announcement ID: I358772