硫化處理應變式砷化鋁銦/砷化鎵銦異質接面場效應電晶體(MHEMT)之方法

Hsien-Chin Chiu (Inventor), Liann-Be Chang (Inventor), ZHONG-WEN CHEN (Inventor), YUAN-CHANG HUANG (Inventor), WEI-XIAN LIN (Inventor)

研究成果: 專利

摘要

本發明係一種硫化處理應變式砷化鋁銦/砷化鎵銦異質接面場效應電晶體(MHEMT)之方法,其係利用硫化處理應用在應變式砷化鋁銦/砷化鎵銦異質接面場效應電晶體(MHEMT)元件,做閘極的鈍化處理,使啟始電壓提升,表面漏電流減少,表面狀態密度也增強,使其能運用在高電流密度和高輸入功率範圍。
貢獻的翻譯標題Method of vulcanization treatment on metamorphic InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor (MHEMT)
原文繁體中文
專利號I358772
IPCH01L 21/335(2006.01)
出版狀態已出版 - 21 02 2012

文獻附註

公開公告號: I358772
Announcement ID: I358772

指紋

深入研究「硫化處理應變式砷化鋁銦/砷化鎵銦異質接面場效應電晶體(MHEMT)之方法」主題。共同形成了獨特的指紋。

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