摘要
本發明係關於一種記憶體之結構，其係於上下電極之間包含介電質層，並且於上電極與介電質層之間進一步包含一氧化銥膜；其在氧化銥膜的存在下，可控制上電極之金屬粒子以離子形式擴散至介電質層的數量，或者是記憶體內之氧空缺之數量，藉此使記憶體之工作電壓/電流降低，也可增進記憶體電阻轉換的一致性和可靠性。
| 貢獻的翻譯標題 | Memory structure |
|---|---|
| 原文 | 繁體中文 |
| 專利號 | I597834 |
| IPC | H01L 27/24(2006.01); B82Y 40/00(2011.01); H01L 45/00(2006.01) |
| 出版狀態 | 已出版 - 01 09 2017 |
文獻附註
公開公告號: I597834Announcement ID: I597834