摘要
一種透明電極應用於砷化鎵製程,係包括:一MHEMT晶圓磊晶結構、一透明閘極、一源極與一汲極。該MHEMT晶圓磊晶結構係利用分子束磊晶方式成長在一砷化鎵基板上,該砷化鎵基板上成長包括有一肖特基層與一覆蓋層,該覆蓋層係成長於該肖特基層上;該透明閘極係設於該肖特基層上,該透明閘極係為銦錫氧化物;該源極與該汲極係分別設於該透明閘極兩側的該覆蓋層上,藉此,可有效增加受光範圍,使該MHEMT晶圓磊晶結構對於光波更為敏感。
貢獻的翻譯標題 | Transparent electrode for using in gallium arsenide manufacturing process |
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原文 | 繁體中文 |
IPC | H01L-021/283(2006.01);H01L-029/778(2006.01) |
出版狀態 | 已出版 - 01 10 2008 |
文獻附註
公開公告號: 2.00839855E8Announcement ID: 2.00839855E8