透明電極應用於砷化鎵製程

Hsien-Chin Chiu (Inventor), Liann-Be Chang (Inventor), ZHE-KAI LIN (Inventor)

研究成果: 專利

摘要

一種透明電極應用於砷化鎵製程,係包括:一MHEMT晶圓磊晶結構、一透明閘極、一源極與一汲極。該MHEMT晶圓磊晶結構係利用分子束磊晶方式成長在一砷化鎵基板上,該砷化鎵基板上成長包括有一肖特基層與一覆蓋層,該覆蓋層係成長於該肖特基層上;該透明閘極係設於該肖特基層上,該透明閘極係為銦錫氧化物;該源極與該汲極係分別設於該透明閘極兩側的該覆蓋層上,藉此,可有效增加受光範圍,使該MHEMT晶圓磊晶結構對於光波更為敏感。
貢獻的翻譯標題Transparent electrode for using in gallium arsenide manufacturing process
原文繁體中文
IPCH01L-021/283(2006.01);H01L-029/778(2006.01)
出版狀態已出版 - 01 10 2008

文獻附註

公開公告號: 2.00839855E8
Announcement ID: 2.00839855E8

指紋

深入研究「透明電極應用於砷化鎵製程」主題。共同形成了獨特的指紋。

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