摘要
一種透過雙界面表面電漿以改變電子於非金屬材料內部不同能階躍遷速率的方法及結構，包含製備一基板、於該基板上形成一第一金屬層、在該第一金屬層上形成一非金屬材料層及在該非金屬材料層上形成一第二金屬層，該結構在非金屬材料層兩側皆有金屬存在，透過兩側界面表面電漿的偶合，可依據需要調整表面電漿的特性，以使該表面電漿得以用來改變非金屬材料層內電子因受激吸收、受激輻射亦或自發性輻射的躍遷速率。
| 貢獻的翻譯標題 | A method and structure to change the different energy level transition rates of electrons inside non-metallic materials through dual-interface surface plasma |
|---|---|
| 原文 | 繁體中文 |
| 專利號 | I457683 |
| IPC | G02F 1/35(2006.01) |
| 出版狀態 | 已出版 - 21 10 2014 |
文獻附註
公開公告號: I457683Announcement ID: I457683
指紋
深入研究「透過雙界面表面電漿以改變電子於非金屬材料內部不同能階躍遷速率的方法及結構」主題。共同形成了獨特的指紋。引用此
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