電荷轉移式感測放大器

Hwang-Cherng Chow; CHANG-LIN XIE

電荷轉移式感測放大器

Hwang-Cherng Chow (Inventor), CHANG-LIN XIE (Inventor)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究成果: 專利

摘要

本發明提供一種電荷轉移式感測放大器，其係結合了增壓電容(boost capacitance)和交叉式耦合電晶體(cross-coupled transistor)，使得電路能夠在最快的時間將感測點壓差拉開到最大的幅度。並在效能上，和先前技術比較後，電荷轉移的速度改善了40.7%以上，電壓差拉開的幅度改善了59.29%以上，整體的功率延遲乘積(power delay product)改善了38.26%以上。此外，電路中不需要額外的高電壓預充電位和高電壓的控制訊號，使得新型電荷轉移感測放大器更適合使用於低電壓的DRAM陣列。

貢獻的翻譯標題	Electric charge transfer detection amplifier
原文	繁體中文
專利號	I306261
IPC	G11C 7/06(2006.01); G11C 11/34(2006.01)
出版狀態	已出版 - 11 02 2009

文獻附註

公開公告號: I306261
Announcement ID: I306261

引用此

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TY - PAT

T1 - 電荷轉移式感測放大器

AU - Chow, Hwang-Cherng

AU - XIE, CHANG-LIN

N1 - 公開公告號: I306261 Announcement ID: I306261

PY - 2009/2/11

Y1 - 2009/2/11

N2 - 本發明提供一種電荷轉移式感測放大器，其係結合了增壓電容(boost capacitance)和交叉式耦合電晶體(cross-coupled transistor)，使得電路能夠在最快的時間將感測點壓差拉開到最大的幅度。並在效能上，和先前技術比較後，電荷轉移的速度改善了40.7%以上，電壓差拉開的幅度改善了59.29%以上，整體的功率延遲乘積(power delay product)改善了38.26%以上。此外，電路中不需要額外的高電壓預充電位和高電壓的控制訊號，使得新型電荷轉移感測放大器更適合使用於低電壓的DRAM陣列。

AB - 本發明提供一種電荷轉移式感測放大器，其係結合了增壓電容(boost capacitance)和交叉式耦合電晶體(cross-coupled transistor)，使得電路能夠在最快的時間將感測點壓差拉開到最大的幅度。並在效能上，和先前技術比較後，電荷轉移的速度改善了40.7%以上，電壓差拉開的幅度改善了59.29%以上，整體的功率延遲乘積(power delay product)改善了38.26%以上。此外，電路中不需要額外的高電壓預充電位和高電壓的控制訊號，使得新型電荷轉移感測放大器更適合使用於低電壓的DRAM陣列。

M3 - 專利

M1 - I306261

ER -

電荷轉移式感測放大器

摘要

文獻附註

指紋

引用此