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AlGaAs/GaAs Heterostructure Field-Effect Transistors(HFET's)Grown by Molecular Beam Epitaxy

  • 詹 益仁
  • , 綦 振瀛
  • , 謝 佳霖
  • , Ray-Ming Lin
  • , 楊 明達

研究成果: 期刊稿件文章同行評審

原文美式英語
頁(從 - 到)428-432
期刊Proceedings of the National Science Council. Part A, Physical Science and Engineering
17
發行號6
出版狀態已出版 - 1993

Keywords

  • AlGaAs/GaAs
  • Heterostructure FET's
  • Molecular beam epitaxy

引用此