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Diffusion of boron near projected ranges of B and BF
2
ions implanted in silicon
Ruey Dar Chang
*
, Chih Hung Lin, Li Wei Ho
*
此作品的通信作者
電子工程學系(含學碩博士班)
Chang Gung University
研究成果
:
期刊稿件
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文章
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同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Diffusion of boron near projected ranges of B and BF
2
ions implanted in silicon」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Physics
Accumulations
14%
Annealing
14%
Boron
100%
Diffusivity
100%
Ion
100%
Region
28%
Silicon
100%
Transients
28%
Material Science
Annealing
20%
Boron
100%
Density
20%
Dislocation
20%
Silicon
100%
Surface
20%