Effect of in and Zn Content on Structural and Electrical Properties of InZnSnO Thin-Film Transistors Using an Yb2TiO5 Gate Dielectric
Tung Ming Pan*, Bo Jung Peng, Jim Long Her, Bih Show Lou
*此作品的通信作者
研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
9
引文
斯高帕斯(Scopus)