Effects of IMD and Nitride Spacer on Hot Carrier Induced MOSFET Degradation

貢獻的翻譯標題: 金屬間絕緣層及氮化矽間隔物對熱載子所引起金氧半場效電晶體退化之效應

劉維理

研究成果: 論文類型 › 碩士論文

貢獻的翻譯標題	金屬間絕緣層及氮化矽間隔物對熱載子所引起金氧半場效電晶體退化之效應
原文	美式英語
監督員/顧問	Lin, Jeng-Ping, 指導教授
出版狀態	已出版 - 1999
對外發佈	是

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