| 貢獻的翻譯標題 | 使用氮化鈦(TiNx)界面覆蓋層與上金屬電極工程的鑭(La)/鋯(Zr)掺雜之氧化鉿(HfO2)之鐵電記憶體特性 |
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| 原文 | 美式英語 |
| 監督員/顧問 |
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| 出版狀態 | 已出版 - 2024 |
| 對外發佈 | 是 |
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Ferroelectric memory characteristics of La/Zr-doped HfO2 film using TiNx interfacial capping layer and top metal electrode engineering
- ASIM SENAPATI
研究成果: 論文類型 › 博士論文