Fully integrated concurrent dual-band low noise amplifier with suspended inductors in SiGe 0.35m BiCMOS technology
- Y. T. Lin*
- , T. Wang
- , S. S. Lu
*此作品的通信作者
研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）