Gate capacitance effect on P-type tunnel thin-film transistor with TiN/HfZrO2 gate stack
- William Cheng Yu Ma*
- , Ming Jhe Li
- , Shen Ming Luo
- , Jiun Hung Lin
- , Cai Jia Tsai
*此作品的通信作者
研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）