Gate leakage lowering and kink current suppression for antimonide-based field-effect transistors
- H. K. Lin*
- , Y. C. Lin
- , F. H. Huang
- , T. W. Fan
- , P. C. Chiu
- , J. I. Chyi
- , C. H. Ko
- , T. M. Kuan
- , M. K. Hsieh
- , W. C. Lee
- , C. H. Wann
*此作品的通信作者
- National Central University
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
8
引文
斯高帕斯（Scopus）