Improved resistance memory characteristics and switching mechanism using TiN electrode on TaOx/W structure

A. Prakash, S. Maikap*

*此作品的通信作者

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2 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Improved resistance memory characteristics and switching mechanism using TiN electrode on TaOx/W structure」主題。共同形成了獨特的指紋。

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