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Role of 0.66 eV dominant trap in annealed low-temperature grown molecular beam epitaxial GaAs
N. C. Chen
*
, P. Y. Wang, J. F. Chen
*
此作品的通信作者
National Yang Ming Chiao Tung University
研究成果
:
期刊稿件
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文章
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同行評審
16
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Role of 0.66 eV dominant trap in annealed low-temperature grown molecular beam epitaxial GaAs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Chemistry
Reaction Temperature
100%
Molecular Beam
100%
Concentration
42%
Voltage
28%
Structure
28%
Spectroscopy
14%
Sample
14%
Time
14%
Reaction Activation Energy
14%
Recombination
14%
Valence Band
14%
Fermi Level
14%
Conductance
14%
Physics
Temperature
100%
Electric Potential
28%
Capacitance
14%
Frequencies
14%
Spectrometer
14%
Spectroscopy
14%
Electrical Impedance
14%
Valence
14%
Emission
14%
Time Constant
14%
Material Science
Temperature
100%
Gallium Arsenide
100%
Activation Energy
14%
Capacitance
14%
Biochemistry, Genetics and Molecular Biology
Temperature
100%
Electric Potential
28%
Energy
14%
Time
14%
Experiment
14%
Sample
14%
Spectroscopy
14%
Conductance
14%