The impact of poly gate sidewall oxide thickness on MOSFET's gate-induced drain leakage behavior

貢獻的翻譯標題: 多晶矽閘極側邊氧化層厚度對金氧半場效電晶體GIDL特性之影響

黃道坤

研究成果: 論文類型碩士論文

貢獻的翻譯標題多晶矽閘極側邊氧化層厚度對金氧半場效電晶體GIDL特性之影響
原文美式英語
監督員/顧問
  • Lin, Jeng-Ping, 指導教授
出版狀態已出版 - 2005
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