| 貢獻的翻譯標題 | 多晶矽閘極側邊氧化層厚度對金氧半場效電晶體GIDL特性之影響 |
|---|---|
| 原文 | 美式英語 |
| 監督員/顧問 |
|
| 出版狀態 | 已出版 - 2005 |
| 對外發佈 | 是 |
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The impact of poly gate sidewall oxide thickness on MOSFET's gate-induced drain leakage behavior
- 黃道坤
研究成果: 論文類型 › 碩士論文
研究成果: 論文類型 › 碩士論文
| 貢獻的翻譯標題 | 多晶矽閘極側邊氧化層厚度對金氧半場效電晶體GIDL特性之影響 |
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| 原文 | 美式英語 |
| 監督員/顧問 |
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| 出版狀態 | 已出版 - 2005 |
| 對外發佈 | 是 |